Pernahkah Anda Menggunakan Penyemprotan Ultrasonik di Industri Photoresist?

Aplikasi inti penyemprotan atomisasi ultrasonik dalam industri photoresist adalah pelapisan photoresist dengan presisi tinggi, keseragaman tinggi, dan cakupan langkah tinggi. Hal ini sangat baik dalam memecahkan masalah pelapisan struktur mikro 3D, rasio aspek tinggi, dan substrat besar/tidak beraturan yang sulit ditangani oleh pelapisan spin tradisional, sekaligus meningkatkan pemanfaatan dan hasil material secara signifikan.

1. Lapisan Wafer Semikonduktor (Aplikasi Utama)

Planar Wafer Coating: Used for 12-inch and larger wafers, achieving ultra-thin, uniform photoresist layers (thickness 50–500 nm), with thickness error controllable within ±0.3–0.4 μm and uniformity >95%, secara signifikan meningkatkan akurasi eksposur dan hasil chip.

Pelapisan Wafer Struktur Kompleks: Menargetkan parit dalam, TSV, dan struktur dengan rasio aspek tinggi, mengatasi masalah pelapisan-seperti penumpukan tepi, penahan bagian bawah yang hilang, dan efek bayangan, mencapai cakupan seragam pada dinding samping dan bagian bawah, memastikan akurasi pengetsaan/implantasi ion.

2. MEMS dan Pelapis Perangkat Struktur Mikro

Pelapisan permukaan morfologi kompleks 3D seperti chip MEMS, chip mikrofluida, sensor, dan cermin mikro, memberikan cakupan langkah yang sangat baik, menghilangkan sudut mati dan gelembung, serta meningkatkan keandalan perangkat.

Substrat Khusus dan Pelapis Elektronik Fleksibel

Pelapisan substrat non-silikon seperti kaca, keramik, logam, dan substrat fleksibel (misalnya, PI, PET), cocok untuk bagian yang bentuknya tidak beraturan/berukuran besar/rapuh, menghindari risiko fragmentasi yang disebabkan oleh sentrifugasi kecepatan tinggi selama pelapisan spin.

Pelapisan lapisan fotoresist/fungsional pada substrat fleksibel/melengkung seperti OLED fleksibel dan sel surya perovskit.

Litbang dan-Pembuatan Prototipe Batch Kecil

Penelitian dan pengembangan di laboratorium, verifikasi material baru, dan pembuatan prototipe dalam jumlah kecil: pergantian yang cepat, kontrol ketebalan film yang presisi, dan konsumsi material yang rendah, cocok untuk pengembangan formulasi photoresist dan iterasi proses.

Proses Hibrid (Spin Coating + Penyemprotan Ultrasonik)

Pertama, penyemprotan ultrasonik membentuk lapisan dasar yang seragam, lalu pelapisan berkecepatan tinggi meratakan perekat, menyeimbangkan keseragaman, cakupan langkah, dan efisiensi produksi, cocok untuk proses lanjutan.

Parameter Proses Khas (Referensi)

●Frekuensi Atomisasi: 20–120 kHz (umumnya digunakan 100 kHz)

●Ukuran Partikel Atomisasi: 0,5–50 μm (tingkat submikron)

●Kisaran Ketebalan Film: 50 nm–5 μm (50–500 nm umumnya digunakan untuk pelapisan presisi)

●Keseragaman Ketebalan: ±0,3–0,5 μm (wafer 12 inci)

●Material Utilization: >90%